

Применение распространяющегося низкотемпературного синтеза для получения чистого карбида кремния
https://doi.org/10.17073/1683-4518-2023-5-80-85
Аннотация
Об авторах
В. М. СизяковРоссия
В. Ю. Бажин
Россия
В. Ю. Пиирайнен
Россия
Ф. Ю. Шариков
Россия
О. Н. Масько
Россия
Для цитирования: Сизяков В.М., Бажин В.Ю., Пиирайнен В.Ю., Шариков Ф.Ю., Масько О.Н. Применение распространяющегося низкотемпературного синтеза для получения чистого карбида кремния. Новые огнеупоры. 2023;(5):80-85. https://doi.org/10.17073/1683-4518-2023-5-80-85
For citation: Sizyakov V.M., Bazhin V.Y., Piirainen V.Y., Sharikov F.Y., Mas’ko O.N. Implementing propagating low- temperature synthesis to produce pure silicon carbide. NOVYE OGNEUPORY (NEW REFRACTORIES). 2023;(5):80-85. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1683-4518-2023-5-80-85
Обратные ссылки
- Обратные ссылки не определены.