Search

Browse

User

Language

Article Tools

Finding References

Email this article (Login required)

Email the author (Login required)

About the Authors

Yu. F. Ivanov
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»; ФГБУН «Институт cильноточной электроники Сибирского отделения РАН»
Russian Federation

Доктор физико-математических наук

г. Томск

O. L. Khasanov
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

г. Томск

M. S. Petyukevich
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

г. Томск

V. V. Polisadova
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

г. Томск

Z. G. Bikbaeva
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

г. Томск

A. D. Teresov
ФГБУН «Институт cильноточной электроники Сибирского отделения РАН»
Russian Federation

г. Томск

M. P. Kalashnikov
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

г. Томск

O. S. Tolkachev
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

г. Томск

E. E. Kuzichkin
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

г. Томск

The structure and phase condition's evolution in the silicon carbide ceramics surface layer under the electron-beam treatment

Yu. F. Ivanov, O. L. Khasanov, M. S. Petyukevich, V. V. Polisadova, Z. G. Bikbaeva, A. D. Teresov, M. P. Kalashnikov, O. S. Tolkachev, E. E. Kuzichkin

https://doi.org/10.17073/1683-4518-2018-6-24-28

Full Text:

Abstract

The elemental constituents, phase composition and substructural evolution were investigated in the article in the silicon carbide ceramics surface layer which was subjected to the intense pulsed electron beam the density of the electron beam being varied. It was shown that the ceramic layer surface's structure and phase conditions were controlled by the electron beam characteristics. The SiC-ceramics surface layer nanostructuring was detected and the electron beam treatment conditions which lead to this effect were defined.

Keywords

silicon carbide ceramics, electronic beam, surface layer, polytypes,

About the Authors

Yu. F. Ivanov

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»; ФГБУН «Институт cильноточной электроники Сибирского отделения РАН»
Russian Federation

O. L. Khasanov

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

M. S. Petyukevich

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

V. V. Polisadova

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

Z. G. Bikbaeva

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

A. D. Teresov

ФГБУН «Институт cильноточной электроники Сибирского отделения РАН»
Russian Federation

M. P. Kalashnikov

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

O. S. Tolkachev

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

E. E. Kuzichkin

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет»
Russian Federation

References

1. Гнесин, Г. Г. Карбидокремниевые материалы / Г. Г. Гнесин. ― М. : Металлургия, 1977. ― 216 с.

2. Лучинин, В. Карбид кремния ― алмазоподобный материал / В. Лучинин, Ю. Таиров // Наноиндустрия. ― № 1/210. ― С. 36‒40.

3. Verma, A. R. Polymorphism and polytypism in crystals /A.R. Verma, P. Krishna. ― New York : Wiley, 1966. ― 274 p.

4. Levinshtein, M. E. Properties of advanced semiconductor materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe / M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, M. S. Shur. ― New York : John Wiley and Sons, 2001. ― 216 p.

5. Хасанов, О. Л. Влияние ультрадисперсной фракции порошка карбида бора на прочностные свойства керамики, изготовленной методом SPS / О. Л. Хасанов, Э. С. Двилис, А. О. Хасанов [и др.] // Известия вузов. Физика. ― 2013. ― Т. 58, № 6/2. ― С. 96‒99.

6. Ласковнев, А. П. Модификация структуры и свойств эвтектического силумина электронно-ионноплазменной обработкой / А. П. Ласковнев, Ю. Ф. Иванов, Е. А. Петрикова. ― Минск : Беларусская наука, 2013. ― 288 с.

7. Коваль, Н. Н. Эволюция структуры поверхностного слоя стали, подвергнутой электронно-ионноплазменным методам обработки / Н. Н. Коваль, Ю. Ф. Иванов. ― Томск : Издательство НТЛ, 2016. ― 298 с.

8. Иванов, Ю. Ф. Структура и свойства поверхностного слоя керамики B4C, обработанной интенсивным электронным пучком / Ю. Ф. Иванов, О. Л. Хасанов, М. С. Петюкевич [и др.] // Физика и химия обработки материалов. ― 2017. ― № 3. ― С. 38‒44.

9. Коваль, Н. Н. Наноструктурирование поверхности металлокерамических и керамических материалов при импульсной электронно-пучковой обработке / Н. Н. Коваль, Ю. Ф. Иванов // Известия вузов. Физика. ― 2008. ― Т. 51, № 5. ― С. 60‒70.

10. Бурдовицин, В. А. Структура поверхности алюмооксидной керамики при облучении импульсным электронным пучком / В. А. Бурдовицин, Э. С. Двилис, А. В. Медовник [и др.] // Журнал технической физики. ― 2013. ― Т. 83. ― Вып. 1. ― С. 117‒120.

11. Веrnard, F. Dense nanostructured materials obtained by spark plasma sintering and field activated pressure assisted synthesis starting from mechanically activated powder mixtures / F. Веrnard, S. Le Gallet, N. Spinassou [et al.] // Sci. Sintering. ― 2004. ― Vol. 36. ― P. 155‒164.

Supplementary files

For citation: Ivanov Y.F., Khasanov O.L., Petyukevich M.S., Polisadova V.V., Bikbaeva Z.G., Teresov A.D., Kalashnikov M.P., Tolkachev O.S., Kuzichkin E.E. The structure and phase condition's evolution in the silicon carbide ceramics surface layer under the electron-beam treatment. NOVYE OGNEUPORY (NEW REFRACTORIES). 2018;(6):24-28. https://doi.org/10.17073/1683-4518-2018-6-24-28

Views: 385

Refbacks

There are currently no refbacks.

ISSN 1683-4518 (Print)